2SK211GRTE85R データシート Toshiba

2SK211GRTE85R - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET,接合形FET

2SK211GRTE85R の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK211GRTE85R
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature CASCODE J-FET
Configuration SINGLE
FET Technology JUNCTION
Feedback Cap-Max (Crss) 0.15 pF
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SK211GRTE85Rのレビュー

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