2SK209 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

MOSFET,接合形FET

2SK209 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK209
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature AVALANCHE RATED
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 50 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.005 A
Drain Current-Max (ID) 0.005 A
Drain-source On Resistance-Max 0.028 ohm
FET Technology JUNCTION
IDSS (Max)(mA) 14
IDSS (Min)(mA) 1.2
IG (Max)(mA) 10
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 20 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 8 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 75 ns
Turn-on Time-Max (ton) 55 ns
VGDS (Max)(V) -50
|Yfs| (Min)(mS) 4
ピン数 3
極性 N-ch
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SK209のレビュー

2SK209 のご注文について