2SK2009 データシート

Name: 2SK2009
Brand: TOSHIBA
SKU: 30004021-0000-0000-0000

2SK2009 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET,接合形FET

2SK2009 の詳細情報

型番	2SK2009
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	MOSFET,接合形FET
データシート
Ciss(pF)	70
Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	0.2 A
Drain Current-Max (ID)	0.2 A
Drain-source On Resistance-Max	2 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	0.2
JEDEC-95 Code	TO-236
JESD-30 Code	R-PDSO-G3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.2 W
Qg(nC)
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V	2
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	30
VGSS(V)	+/-20
タイプ
ピン数	3
世代
極性	N-ch
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ	低電圧ゲート駆動