2SK1865 データシート Toshiba

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MOSFET,接合形FET

2SK1865 の詳細情報

  • 仕様・詳細
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型番2SK1865
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
Drain-source On Resistance-Max 0.7 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 100 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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