2SK1830 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET,接合形FET

2SK1830 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK1830
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF)
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.05 A
Drain Current-Max (ID) 0.05 A
Drain-source On Resistance-Max 40 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 0.05
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W)
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Qg(nC)
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 40
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 20
VGSS(V) 10
データシート
ピン数 3
ライフサイクル
極性 N-ch
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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