2SK1826(TE85L) データシート Toshiba

2SK1826(TE85L) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
2SK1826(TE85L)
  • 2SK1826(TE85L)
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

TE85L:4mmピッチテーピング 左巻|MOSFET,接合形FET

2SK1826(TE85L) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK1826(TE85L)
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 50 V
Drain Current-Max (ID) 0.05 A
Drain-source On Resistance-Max 50 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SK1826(TE85L)のレビュー

2SK1826(TE85L) のご注文について