2SK1489(Q) データシート Toshiba

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Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|MOSFET,接合形FET

2SK1489(Q) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK1489(Q)
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 200 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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