2SK1310A データシート Toshiba

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MOSFET,接合形FET

2SK1310A の詳細情報

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型番2SK1310A
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection SOURCE
Configuration COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-CDFM-F4
Number of Elements 2
Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 250 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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