2SK1113 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2SK1113
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MOSFET,接合形FET

2SK1113 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK1113
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 120 V
Drain Current-Max (ID) 3 A
Drain-source On Resistance-Max 0.6 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 20 W
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SK1113のレビュー

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