2SK1079TE12L データシート Toshiba

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MOSFET,接合形FET

2SK1079TE12L の詳細情報

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型番2SK1079TE12L
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (ID) 0.6 A
Drain-source On Resistance-Max 1.3 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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