2SK1062 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2SK1062
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MOSFET,接合形FET

2SK1062 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK1062
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別MOSFET,接合形FET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF)
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2 A
Drain Current-Max (ID) 0.2 A
Drain-source On Resistance-Max 1 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 18 pF
ID(A) 0.2
JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W)
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qg(nC)
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 1
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 60
VGSS(V) +/-20
データシート
ピン数 3
ライフサイクル
極性 N-ch
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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