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MOSFET

2SJ680 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SJ680
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 97.5 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.5 A
Drain Current-Max (ID) 2.5 A
Drain-source On Resistance-Max 2 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 10 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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