2SJ618
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MOSFET
2SJ618 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SJ618 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | MOSFET |
| データシート |  |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 180 V |
| Drain Current-Max (ID) | 10 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 30 A |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
2SJ618のレビュー
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