2SJ507 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET

2SJ507 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SJ507
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1 A
Drain Current-Max (ID) 1 A
Drain-source On Resistance-Max 1 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.9 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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