2SJ412
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MOSFET
2SJ412 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SJ412 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | MOSFET |
| データシート |  |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 292 mJ |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 16 A |
| Drain Current-Max (ID) | 16 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.32 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 60 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 64 A |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
2SJ412のレビュー
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