2SJ377(TE16L1,NQ) データシート Toshiba

2SJ377(TE16L1,NQ) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2SJ377(TE16L1,NQ)
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MOSFET

2SJ377(TE16L1,NQ) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SJ377(TE16L1,NQ)
メーカーTOSHIBA
カテゴリモジュール
種別MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 273 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5 A
Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.28 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A
RoHS 対応
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
ゲート入力電荷 (Typ.) Qg 22 nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 0.19 Ω
ドレイン電流 ID -5 A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS -60 V
ピン数 3
実装区分
東芝パッケージ名 PW-Mold/New PW-Mold
極性 P-ch
許容損失 PD 20 W
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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