2SJ360TE12R データシート Toshiba

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MOSFET

2SJ360TE12R の詳細情報

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型番2SJ360TE12R
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 1 A
Drain-source On Resistance-Max 1.2 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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