2SJ313-Y - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
2SJ313-Y
  • 2SJ313-Y
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

MOSFET

2SJ313-Y の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SJ313-Y
メーカーTOSHIBA
種別MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 180 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1 A
Drain Current-Max (ID) 1 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 25 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SJ313-Yのレビュー

2SJ313-Y のご注文について