バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ
型番 | 2SD234 |
---|---|
メーカー | TOSHIBA |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Case Connection | COLLECTOR |
Collector Current-Max (IC) | 0.05 A |
Collector-base Capacitance-Max | 90 pF |
Collector-emitter Voltage-Max | 40 V |
Configuration | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR |
DC Current Gain-Min (hFE) | 6 |
JEDEC-95 Code | TO-126 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 125 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation Ambient-Max | 1.5 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.125 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | NO |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 1 MHz |
VCEsat-Max | 1.2 V |
会社名称 | 株式会社東芝 |
---|---|
設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
2SD234 - TOSHIBA の商品詳細ページです。