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2SD2012(F)
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F:RoHS品|バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ
2SD2012(F) の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SD2012(F) |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート |  |
| Collector Current-Max (IC) | 3 A |
| Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 25 W |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | NO |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
2SD2012(F)のレビュー
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