2SD1223TE16L1NQ Toshiba

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バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ

2SD1223TE16L1NQ の詳細情報

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  • メーカー情報
型番2SD1223TE16L1NQ
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 4 A
Collector-emitter Voltage-Max 80 V
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 1000
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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