2SD103 Toshiba

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バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ

2SD103 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD103
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
Additional Feature LOW NOISE
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.05 A
Collector-base Capacitance-Max 210 pF
Collector-emitter Voltage-Max 40 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 15
JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code O-CEDB-N2
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style DISK BUTTON Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 1.5 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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