2SB673 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2SB673
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バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ

2SB673 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB673
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 7 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 1000
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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