2SB434
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バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ
2SB434 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SB434 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート |  |
| Case Connection | COLLECTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 3 A |
| Collector-base Capacitance-Max | 90 pF |
| Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
| Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 40 |
| JEDEC-95 Code | TO-220AB |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 140 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
| Polarity/Channel Type | PNP |
| Power Dissipation Ambient-Max | 1.5 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1.5 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 3 MHz |
| VCEsat-Max | 1.2 V |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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