2SB1016A-Y データシート Toshiba

2SB1016A-Y - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2SB1016A-Y
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バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ

2SB1016A-Y の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB1016A-Y
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 5 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 120
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 30 W
Power Dissipation-Max (Abs) 30 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 5 MHz
VCEsat-Max 2 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

2SB1016A-Yのレビュー

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