2SA1316-GR データシート Toshiba

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トランジスタ

2SA1316-GR の詳細情報

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型番2SA1316-GR
メーカーTOSHIBA
種別トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 80 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 200
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.4 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 50 MHz
VCEsat-Max 0.1 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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