2N4123 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2N4123 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2N4123
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature EUROPEAN PART NUMBER
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-base Capacitance-Max 4 pF
Collector-emitter Voltage-Max 30 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 25
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -65 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.625 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.35 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
Turn-off Time-Max (toff) 32 ns
Turn-on Time-Max (ton) 22 ns
VCEsat-Max 0.3 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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