2N3055 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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2N3055 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2N3055
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 4 A
Collector-base Capacitance-Max 600 pF
Collector-emitter Voltage-Max 30 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 5
JEDEC-95 Code TO-3
JESD-30 Code O-MBFM-P2
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -65 Cel
Package Body Material CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 235
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 90 W
Power Dissipation-Max (Abs) 115 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Standard CECC
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Gold (Au)
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 0.01 MHz
Turn-off Time-Max (toff) 9000 ns
Turn-on Time-Max (ton) 4500 ns
VCEsat-Max 1 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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