1ZB390TPA3 データシート Toshiba

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1ZB390TPA3 の詳細情報

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型番1ZB390TPA3
メーカーTOSHIBA
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Breakdown Voltage-Max 429 V
Breakdown Voltage-Min 351 V
Breakdown Voltage-Nom 390 V
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code O-PALF-W2
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max 200 W
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 1 W
Qualification Status Not Qualified
Reverse Current-Max 10 uA
Surface Mount NO
Technology AVALANCHE
Terminal Form WIRE
Terminal Position AXIAL
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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