1ZB180 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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1ZB180
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1ZB180 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番1ZB180
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Max 198 V
Breakdown Voltage-Min 162 V
Breakdown Voltage-Nom 180 V
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Dynamic Impedance-Max 500 ohm
JEDEC-95 Code DO-41
JESD-30 Code O-PALF-W2
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max 200 W
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 1 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Voltage-Nom 180 V
Rep Pk Reverse Voltage-Max 144 V
Reverse Current-Max 10 uA
Reverse Test Voltage 144 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount NO
Technology AVALANCHE
Terminal Form WIRE
Terminal Position AXIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Voltage Temp Coeff-Max 255 mV/Cel
Voltage Tol-Max 5 %
Working Test Current 0.0015 mA
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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