1SV305,H3F Toshiba

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1SV305,H3F の詳細情報

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型番1SV305,H3F
メーカーTOSHIBA
種別ダイオード
Breakdown Voltage-Min 10 V
Configuration SINGLE
Diode Cap Tolerance 5.46 %
Diode Capacitance Ratio-Min 2.8
Diode Capacitance-Nom 18.3 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Type Single
Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Rep Pk Reverse Voltage-Max 10 V
Reverse Current-Max 0.003 uA
Reverse Test Voltage 10 V
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Variable Capacitance Diode Classification ABRUPT
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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