TPIC2302DR データシート Ti

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TPIC2302DR の詳細情報

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型番TPIC2302DR
メーカーTI
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Configuration COMMON SOURCE, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 1 A
Drain-source On Resistance-Max 0.475 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 40 pF
JEDEC-95 Code MS-012AA
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 3
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 0.95 W
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Texas Instruments Incorporated.
設立1930
資本金USD 816 million
所在地12500 TI Boulevard Dallas, Texas 75243 USA
URLhttp://www.ti.com/

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