SN65220YZBR データシート Ti

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SN65220YZBR の詳細情報

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型番SN65220YZBR
メーカーTI
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW CAPACITANCE
Breakdown Voltage-Max 8 V
Breakdown Voltage-Min 6.5 V
Configuration COMPLEX
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code S-XBGA-B4
Moisture Sensitivity Level 1
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max 60 W
Number of Elements 2
Number of Terminals 4
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape SQUARE
Package Style GRID ARRAY Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.385 W
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 6 V
Surface Mount YES
Technology AVALANCHE
Terminal Form BALL
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
会社名称Texas Instruments Incorporated.
設立1930
資本金USD 816 million
所在地12500 TI Boulevard Dallas, Texas 75243 USA
URLhttp://www.ti.com/

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