CSD25402Q3AT Ti

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CSD25402Q3AT の詳細情報

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型番CSD25402Q3AT
メーカーTI
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 15 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0159 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 148 A
Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Texas Instruments Incorporated.
設立1930
資本金USD 816 million
所在地12500 TI Boulevard Dallas, Texas 75243 USA
URLhttp://www.ti.com/

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