| 型番 | STRH8N10 |
|---|---|
| メーカー | STMICRO |
| カテゴリ | FET |
| Agency Generic Spec | 5205/023 |
| Agency Qualification | ESCC |
| Drain Current (Dc)(I_D) max (A) | 8 |
| EPPL | - |
| General Description | Rad-Hard N-Channel 100V - 6A MOSFET |
| Hi-Rel Package | SMD.5 |
| RDS(on) max (OHM) | 0.3 |
| Radiation Level | 70 krad (Si) - SEE hardened |
| Temperature range(T) | -55 to 150 C |
| Total Gate Charge(Qg) max (nC) | 22 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| VDSS max (V) | 100 |
| 会社名称 | STMicroelectronics |
|---|---|
| 設立 | 1987 |
| 所在地 | 39, Chemin du Champ des FillesPlan-Les-Ouates GENEVA |
| URL | http://www.st.com/ |
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