型番 | STRH8N10 |
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メーカー | STMICRO |
カテゴリ | FET |
Agency Generic Spec | 5205/023 |
Agency Qualification | ESCC |
Drain Current (Dc)(I_D) max (A) | 8 |
EPPL | - |
General Description | Rad-Hard N-Channel 100V - 6A MOSFET |
Hi-Rel Package | SMD.5 |
RDS(on) max (OHM) | 0.3 |
Radiation Level | 70 krad (Si) - SEE hardened |
Temperature range(T) | -55 to 150 C |
Total Gate Charge(Qg) max (nC) | 22 |
Transistor Polarity | N-Channel |
VDSS max (V) | 100 |
会社名称 | STMicroelectronics |
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設立 | 1987 |
所在地 | 39, Chemin du Champ des FillesPlan-Les-Ouates GENEVA |
URL | http://www.st.com/ |
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