GH0832BA2C Sharp

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半導体レーザ|発振波長（nm）：830帯|パッケージサイズ：Φ5.6 mm CAN

GH0832BA2C の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番GH0832BA2C
メーカーSHARP
カテゴリその他-光半導体
種別半導体レーザ
モニタPD内蔵(内蔵:○) －
特長 φ5.6mmCANパッケージ動作温度MAX.100℃
用途 各種センサー等
発振波長（nm） 830帯
端子接続 3
絶対最大定格(mW)/CW(直流) 210
絶対最大定格(mW)/パルス －
会社名称シャープ株式会社
設立1935年5月
資本金5億円
所在地545-8522 大阪市阿倍野区長池町22番22号
URLhttp://sharp-world.com/

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