UPD5716GR Renesas

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UPD5716GR の詳細情報

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型番UPD5716GR
メーカーRENESAS
カテゴリMMIC
Application -
CG(dB) -
CircuitCurrent(mA) 0.05
Ciss(pF)typ. -
Cob(pF)max. -
Device type Switch
Divideratio -
Frequency(MHz)max. 2150
Frequency(MHz)min. 250
Function SW BOX,4x2 Switch Matrix
GCR(dB) -
GL(dB) -
GMAX(dB) -
Ga(dB)typ. -
Gp(dB) -
Grouping -
Gv(dB) -
IDD(mA) -
IDSS(mA)max. -
IDSS(mA)min. -
ID[A] -
IM3(dBc) -
ISL D/U(dB) 29
ISL(dB) -
Ic(A) -
Ic2(A) -
Lins(dB) -
NF(dB)typ. -
NF2(dB)typ. -
NPN/PNP -
Nch/Pch -
Nv(dB) -
OIP3(dBm) -
Pc(W) -
Pch(W) -
Pin at Pout(mW) -
Pin(0.1dB) -
Pin1dB(dBm) -
Posat(dBm) -
Pout (W)typ. -
Switch type 4x2
Targetapplication BS/CS LNB
VCE(sat)(V) -
VCEO2(V) -
VCEO[V] -
VDD at Pout(V) -
VDD(V) -
VDS(V)max. -
VDSS(V) max. -
VDS[V] -
Vo(Vp-p) -
Voltage(V)max. -
Voltage(V)min. -
Voltage(V)typ. 5
f at CG(MHz) -
f at GCR(MHz) -
f at GL(MHz) -
f at GMAX(MHz) -
f at Ga(GHz) -
f at Gp(GHz) -
f at IIP3(MHz) -
f at ISL D/U(GHz) 2.15
f at ISL(GHz) -
f at Lins(GHz) -
f at NF(GHz) -
f at NF(MHz) -
f at NV(MHz) -
f at OIP3(MHz) -
f at Pin(GHz) -
f at Pin1dB(GHz) -
f at Po(MHz) -
f at Posat(GHz) -
f at Pout(GHz) -
f at Pout(MHz) -
fT(GHz)typ. -
fT2(GHz)typ. -
hFEmax. -
hFEmin. -
|yfs|(S)typ. -
ステータス 量産中
備考 -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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