UPA1817GR9JGE1A データシート Renesas

UPA1817GR9JGE1A - RENESAS の商品詳細ページです。

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UPA1817GR9JGE1A の詳細情報

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型番UPA1817GR9JGE1A
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609 Code e6
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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