型番 | UPA1803GR-9JG-E1-A |
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メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Configuration | SINGLE |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8 A |
Drain Current-Max (ID) | 8 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609 Code | e6 |
Number of Elements | 1 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W |
Sub Category | FET General Purpose Power |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN BISMUTH |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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