TBB1016RMTL-E データシート Renesas

TBB1016RMTL-E - RENESAS の商品詳細ページです。

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TBB1016RMTL-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TBB1016RMTL-E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Configuration COMPLEX
DS Breakdown Voltage-Min 6 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.03 A
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 1.7 pF
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode DUAL GATE, DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.25 W
Power Gain-Min (Gp) 15 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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