6時間32分後
以内に見積もり依頼を頂ければ、
11月05日(火) 9:00
までに見積もり回答いたします。
型番 | TBB1010KMTL-E |
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メーカー | RENESAS |
データシート | |
Configuration | COMPLEX |
DS Breakdown Voltage-Min | 6 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.03 A |
Drain Current-Max (ID) | 0.03 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 0.05 pF |
Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
JESD-609 Code | e6 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 6 |
Operating Mode | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.25 W |
Power Gain-Min (Gp) | 25 dB |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | FET General Purpose Power |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
TBB1010KMTL-E - RENESAS の商品詳細ページです。