TBB1004DMTL-E データシート Renesas

TBB1004DMTL-E - RENESAS の商品詳細ページです。

1

6時間33分後 以内に見積もり依頼を頂ければ、
11月05日(火) 9:00 までに見積もり回答いたします。

TBB1004DMTL-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TBB1004DMTL-E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration COMPLEX
DS Breakdown Voltage-Min 6 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.03 A
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 0.04 pF
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Mode DUAL GATE, DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.25 W
Power Gain-Min (Gp) 16 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

TBB1004DMTL-Eのレビュー

TBB1004DMTL-E のご注文について