RQM2201DNSTR-E データシート Renesas

RQM2201DNSTR-E - RENESAS の商品詳細ページです。

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RQM2201DNSTR-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RQM2201DNSTR-E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2 A
Drain Current-Max (ID) 2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.29 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code S-PDSO-N6
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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