RQK0604IGDQATL-H データシート Renesas

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RQK0604IGDQATL-H
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RQK0604IGDQATL-H の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RQK0604IGDQATL-H
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2 A
Drain Current-Max (ID) 2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.18 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.8 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

RQK0604IGDQATL-Hのレビュー

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