RQK0603CGDQS#H3 データシート Renesas

RQK0603CGDQS#H3 - RENESAS の商品詳細ページです。

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RQK0603CGDQS#H3 の詳細情報

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型番RQK0603CGDQS#H3
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.8 A
Drain Current-Max (ID) 2.8 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 150 Cel
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

RQK0603CGDQS#H3のレビュー

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