| 型番 | RJP4009ANS-01#Q6 |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| データシート | ![]() |
| Collector Current-Max (IC) | 150 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 400 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| Gate-emitter Thr Voltage-Max | 1.2 V |
| Gate-emitter Voltage-Max | 6 V |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Operating Temperature-Min | -40 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1.8 W |
| Sub Category | Insulated Gate BIP Transistors |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VCEsat-Max | 9 V |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
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