RJP4002ANS-00-Q1 データシート Renesas

RJP4002ANS-00-Q1 - RENESAS の商品詳細ページです。

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RJP4002ANS-00-Q1 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RJP4002ANS-00-Q1
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Collector-emitter Voltage-Max 400 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-emitter Thr Voltage-Max 1.2 V
Gate-emitter Voltage-Max 4 V
JESD-30 Code R-PDSO-F8
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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