RJK0651DPB Renesas

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RJK0651DPB の詳細情報

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型番RJK0651DPB
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
Avalanche Energy Rating (Eas) 11.7 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 25 A
Drain Current-Max (ID) 25 A
Drain-source On Resistance-Max 0.018 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 100 pF
JESD-30 Code R-PSSO-G4
JESD-609 Code e4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 45 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Powers
Surface Mount YES
Terminal Finish NICKEL PALLADIUM GOLD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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