RJK0389DPA-00#J53 データシート Renesas

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RJK0389DPA-00#J53 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RJK0389DPA-00#J53
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20 A
Drain Current-Max (ID) 15 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0165 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-XQFP-N7
JESD-609 Code e4
Number of Elements 2
Number of Terminals 7
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLATPACK Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 10 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position QUAD
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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