RJK0351DPA データシート Renesas

RJK0351DPA - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

RJK0351DPA の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RJK0351DPA
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40 A
Drain Current-Max (ID) 40 A
Drain-source On Resistance-Max 0.006 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-XDSO-N5
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 45 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

RJK0351DPAのレビュー

RJK0351DPA のご注文について